· 高性能E2CMOS?技术
- 7.5 ns的最大传输延迟
- 111兆赫的Fmax=
- 5.5 ns的最大时钟输入到数据输出
- 兼容的16 mA输出的TTL
- UltraMOS?技术先进的CMOS
· 低功耗CMOS
- 75时的典型电流Icc
· 主动上拉对所有引脚
· E2的电池技术
- 可重构逻辑
- 细胞重新编程
- 100％Tested/100％的产率
- 高速电擦除“（<100毫秒）
- 20年的数据保存
· 十输出逻辑宏单元
- 使用标准22V10宏单元架构
- 最大的复杂逻辑设计的灵活性
· 预载和上电复位寄存器
- 100％的功能可测性
· 应用程序包括：
- DMA控制
- 状态机控制
- 高速图形处理
- 标准逻辑速度升级
· 电子签名鉴定
